SK Hynix wprowadza HBM4 o przepustowości 2TB/s
Na sympozjum technologicznym TSMC Ameryka Północna spółka SK Hyniks udowodniła, że jest liderem w dziedzinie pamięci nowej generacji, po raz pierwszy prezentując szerokiej publiczności wersję komercyjną HBM4. Podczas gdy konkurenci, tacy jak Micron i Samsung, wciąż znajdują się w fazie prototypów, SK Hynix już przygotowuje się do produkcja masowa HBM4 w drugiej połowie 2025 roku.
HBM4 firmy SK Hynix oferuje imponujące parametry techniczne: pojemność do 48 GB na stosie, przepustowość do 2.0 TB/s a prędkość wejścia/wyjścia jest na poziomie 8.0 Gbps. Inżynierowie firmy byli w stanie osiągnąć tak wysoką gęstość dzięki zastosowaniu 16-warstwowej architektury stosu połączonej za pomocą technologii Zaawansowany MR-MUF и TSV (Przez krzem). Dzięki temu firma SK Hynix stała się pionierem w zakresie tak złożonych obudów pamięci.
W tym samym czasie zaprezentowano nową wersję HBM3E z 16 warstwami, zapewniającymi do 1.2 TB/s przepustowość. Planuje się, że ten typ pamięci będzie używany w przyszłych klastrach sztucznej inteligencji NVIDIA o nazwie kodowej GB300 „Czarna studnia” Ultra"w oczekiwaniu na przejście na architekturę HBM4 Wera Rubin.
Oprócz rozwiązań HBM firma SK hynix zaprezentowała również swoje najnowsze moduły pamięci serwerowej, w tym RDIMM и Pamięć MRDIMM, opracowany na podstawie standardu DRAM 1c. Osiągają prędkość do 12,500 MB / si modele MRDIMM oferują już przepustowość do 12.8 Gbps o pojemnościach 64, 96 i 256 GB. Wprowadzono również moduł pamięci 256DS RDIMM o pojemności 3 GB przeznaczony do centrów danych o dużym obciążeniu.
Oczywiste jest, że SK Hynix pewnie wyprzedza swoich konkurentów na rynkach HBM i DRAMdzięki szybkim innowacjom i ścisłej współpracy z liderami branży, takimi jak NVIDIA.
