Tajwańscy naukowcy stworzyli szybką i niezawodną pamięć dla przyszłych smartfonów i sztucznej inteligencji.

Naukowcy z Tajwanu, we współpracy z dużymi uniwersytetami i producentem układów scalonych TSMC, opracowali nowy typ pamięci komputerowej, która łączy w sobie wysoką prędkość, energooszczędność i długi czas przechowywania danych. Może to mieć znaczący wpływ na rozwój smartfonów, systemów AI, a nawet elektroniki samochodowej.

Chodzi o technologię SOT-MRAM - jest nowoczesnym typem pamięci, który może pracować tak szybko jak pamięć RAM, ale jednocześnie nie kasuje się po wyłączeniu zasilania, jak pendrive. Problem polegał na tym, że materiał, na którym opierała się ta pamięć, tracił swoje właściwości podczas produkcji chipa. Zespół naukowców z Narodowego Uniwersytetu Yang Ming Chiao Tong i innych organizacji znaleziono sposób na utrzymanie stabilności tego materiałunawet po podgrzaniu.

Oni stworzyli działający układ z 64 kilobitami pamięci, który:

• napędzany 1000 razy szybsza niż konwencjonalna pamięć flash

• Nie wymaga stałego zasilania do przechowywania danych

• Przechowuje informacje przez ponad 10 lat

• Nadaje się do produkcji masowej

Ten typ pamięci może zastąpić istniejące rozwiązania w smartfony, laptopy, samochody elektryczne и centra serwerowe, szczególnie tam, gdzie jest to ważne oszczędność energii i niezawodność magazynowaniaTajwan podejmuje ważny krok w kierunku przyszłości, w której urządzenia będą działać dłużej, szybciej i bezpieczniej.